Поиск

Требования тепличных культур к субстратам
13.03.2013

Тепличные культуры (овощные, цветочные, рассада для открытого грунта) предъявляют повышенные требования к почвенным условиям и, прежде всего, к обеспеченности элементами питания, водой и воздухом, в связи с тем, что они получают гораздо больше тепла, а при искусственном освещении — и света, по сравнению с культурами открытого грунта. Тепло и свет в теплицах промышленного типа, как правило, не являются лимитирующими факторами величины урожая, поэтому свойства тепличных почв должны отвечать улучшенным условиям тепло- и светообеспеченности. Тепличные почвы должны быть рыхлыми, хорошо аэрируемыми, влагоемкими, обладать повышенной емкостью катионного обмена, способностью противостоять развитию возбудителей болезней и вредителей. В то же время длительное, интенсивное, бессменное использование тепличных грунтов требует устойчивости перечисленных свойств во времени.
Тепличные грунты, по сравнению с естественными почвами, подвергаются гораздо более высоким нагрузкам, которые приводят к ухудшению их свойств. Частые обработки и высокие нормы полива (до 1000-1500 л/м2 в год) приводят к разрушению структурных агрегатов, распылению и уплотнению, уменьшению пористости аэрации и проявлению глеевого процесса. Высокие нормы минеральных удобрений (до 10 кг/м2) — на 1-2 порядка выше по сравнению с теми, которые вносят в естественные почвы, приводят к накоплению избыточного количества солей и нарушению сбалансированного питания. Большие дозы органических удобрений и азота вызывают накопление нитратов как в грунтах, так и в урожае. Наконец, мероприятия по борьбе с возбудителями болезней и вредителями (пропаривание, обработка химическими препаратами) нарушают биологическое равновесие в субстратах. Перечисленные негативные явления, возникающие в процессе использования тепличных почв, усложняют мероприятия по оптимизации состава и свойств субстратов и вызывают необходимость постоянного контроля за их состоянием.
Естественные почвы, как правило, не удовлетворяют требованиям тепличных культур из-за высокой плотности, недостаточной пористости и пониженной устойчивости к технологическим нагрузкам, возникающим в процессе их эксплуатации в защищенном грунте. После соответствующего улучшения естественные почвы используются в пленочных теплицах, не требующих больших затрат на строительство и оборудование обогрева и дополнительного освещения. Грунты в таких теплицах используются менее интенсивно и в течение более короткого периода.
В наибольшей степени требованиям тепличных культур отвечают искусственные насыпные грунты, характеризующиеся следующими параметрами: мощность грунта 25-35 см; содержание органического вещества 20-30%; плотность 0,4-0,6 г/см3, пористость аэрации 20-30%; наименьшая (предельно-полевая) влагоемкость 50-60% от объема; водопроницаемость 5-10 мм/с; емкость катионного обмена 100-150 мг-экв на 100 г субстрата. При таких параметрах складываются наиболее оптимальные условия влагообеспеченности и аэрации и создается возможность регулирования физико-химических и агрохимических свойств грунтов. Проблема оптимизации осложняется тем, что требования отдельных культур к свойствам тепличных грунтов несколько различаются. Так, например, оптимальная плотность почвогрунтов для томата 0,6-0,8 г/см3, а для огурца 0,4-0,6 г/см3. Огурец нуждается в повышенной влажности, а томаты в лучшей аэрации почвогрунта. Различия в требованиях устраняются путем регулирования ряда параметров в процессе выращивания той или иной культуры.


Имя:*
E-Mail:
Комментарий:
  • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
    heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
    winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
    worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
    expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
    disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
    joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
    sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
    neutral_faceno_mouthinnocent
Введите два слова, показанных на изображении: *