Показать меню

Гетероэпитаксия

16.12.2020
11

Гетероэпитаксия (англ. heteroepitaxy; от др.-греч. ἕτερος — «иной», «различный» и «эпитаксия») — вид эпитаксии, когда растущий слой отличается по химическому составу от вещества подложки. Процесс возможен только для химически не взаимодействующих веществ: например, так изготавливают интегральные преобразователи со структурой кремний на сапфире.

Описание

Так как подложка и плёнка состоят из разных материалов, идеальный соразмерный рост, происходящий при полном совпадении параметров кристаллической решетки, маловероятен. Чаще всего кристаллическая структура плёнки и подложки отличаются друг от друга. Это различие структур характеризуется таким количественным параметром, как несоответствие решёток, определяемое как относительная разность их постоянных:
ε = b − a a {displaystyle varepsilon ={frac {b-a}{a}}}

Небольшие несоответствия решёток могут быть адаптированы за счет упругих напряжений, то есть за счет деформации решётки таким образом, что напряжённая решётка сохраняет периодичность подложки в плоскости границы раздела, но в перпендикулярном направлении приобретает иную периодичность, сохраняя при этом объем элементарной ячейки. Этот тип роста называется псевдоморфным.

При больших несоответствиях решеток напряжение достигает такой величины, что его релаксация возможна лишь через возникновение дислокаций несоответствия, возникающих на границе раздела. Легко показать, что расстояние между дислокациями равно
d = a b | b − a | {displaystyle d={frac {ab}{|b-a|}}}

Технология гетероэпитаксии используется для выращивания гетероструктур, например, таких, как нитрид галлия на сапфире, алюминий-галлий-фосфид индия (AlGaInP) на арсениде галлия (GaAs).

Еще по этой теме:
Теорема Вейерштрасса об ограниченной возрастающей последовательности
21:30, 15 декабрь
Теорема Вейерштрасса об ограниченной возрастающей последовательности
Теорема Вейерштрасса об ограниченной сверху возрастающей последовательности (или ограниченной снизу убывающей последовательности) утверждает, что любая ограниченная сверху монотонно возрастающая (или
Существенно особая точка
14:44, 12 декабрь
Существенно особая точка
Изолированная особая точка z 0 {displaystyle z_{0}} функции f (
Травление (фотолитография)
13:38, 08 декабрь
Травление (фотолитография)
Травление в литографии (англ. etching in lithography) — этап фотолитографического процесса, заключающийся в полном или частичном удалении слоя материала микросхемы (оксид, металл, полупроводник) на
Подложка для ламината: что это и для чего она необходима
18:18, 31 август
Подложка для ламината: что это и для чего она необходима
Можно довольно долго перечислять преимущества, которыми обладает ламинат в роли напольного покрытия. Но, чтобы получить от него более удачный результат, можно совместить материал со специальной
Какие виды подложки использовать для ламината
11:09, 10 июль
Какие виды подложки использовать для ламината
Процесс укладки ламината лишь с первого взгляда кажется простым. На самом деле это мероприятие предполагает немало довольно сложных действий.
Стоит ли использовать подложку при укладке линолеума
21:33, 09 март
Стоит ли использовать подложку при укладке линолеума
Для качественной укладки линолеума важно сначала грамотно подготовить поверхность под него. Владельцы по-разному подходят к решению этой задачи.
Комментарии:
Добавить комментарий
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:
  • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
    heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
    winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
    worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
    expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
    disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
    joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
    sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
    neutral_faceno_mouthinnocent